Память 1 ГБ DDR PC3200, только для AMD, новая
184-ти контактный модуль оперативной памяти объемом 1 ГБ и пропускной способностью 3200 Мбайт/сек для стационарного компьютера.
Тип памяти DDR SDRAM - синхронная динамическая память с удвоенной скоростью передачи данных, имеет тактовую частоту 400 МГц.
Память соответствует заявленным характеристикам, но установленные чипы могут быть различных брендов: Kingston, Samsung, Micron и др.
Эта оперативная память совместима с материнскими платами на следующих чипсетах:
- VIA K7 чипсет: KT400, KT400A, KT600, KT880, KM400, KN400;
- VIA K8 чипсет: K8T800, K8M400, K8T800Pro, K8M800, K8N800, K8T890, K8T890Pro;
- VIA P4 чипсет: P4X400, P4X400A, PT800, PT880, PM800, PM880, PT880Pro, PT894, P4M800, P4T800, P4T880, P4T890;
- SIS: SiSM650, SiSM760, SiSM741, SiS655FX, SiS655, SiS651, SiS650GX, SiS648MX, SiS648FX, SiS648, SiS645DX, SiS650GL, SiS650, SiS645, SiS760, SiS755FX, SiS649, SiS755, SiS748, SiS746FX, SiS746, SiS745, SiS741GX, SiS741, SiS740, SiS661FX, SiS655TX, SiSM661FX, SiSM661MX;
- NF чипсет: nForce3 / nForce4, C51 (DDR1), C61 (DDR1) (GEFORCE 6100-NFORCE 410/430).
С иными чипсетами работа оперативки не гарантируется.
В транспортном состоянии планка памяти упакована в пластиковый пенал с прозрачной крышкой.
Характеристики:
на чипах: Hynix, Kingston, Samsung, Micron и др.;
тип модуля (форм-фактор): DIMM;
тип памяти: DDR SDRAM;
объем памяти: 1 ГБ;
частота работы: 400 МГц;
тактовая частота шины памяти: 200 МГц;
пропускная способность: 3200 Мбайт/сек;
количество контактов: 184 Pin;
количество чипов: 16;
ЕСС (код коррекции ошибок): отсутствует;
не буферизованная;
задержка-CAS: 3 цикла;
напряжение питания: 2.6В;
размеры модуля: 133 х 29 х 3,5 мм;
размеры упаковки: 162 х 47 х 7 мм;
вес планки памяти: 16 г;
вес памяти в упаковке: 25 г.
Будьте уважні - звертайте увагу на сумісність з материнкою, інакше може не працювати або працюватиме на меншій частоті 333 МГц;
!!! Возможны незначительные отличия товара от представленного на сайте, но это не влияет на его эксплуатационные показатели и функциональность.