Чип 30F131 GT30F131 TO-263-2 транзистор IGBT

35.00грн.
В наличии
Биполярный транзистор c изолированным затвором (IGBT) и защитным диодом, n-канальный, модели 30F131 от производителя Toshiba в корпусе TO-263-2.

30F131 это n-канальный биполярный транзистор c изолированным затвором (IGBT). Транзистор в основном применяется в плазменных панелях. Транзистор рассчитан на напряжение пробоя 360 В и импульсный ток затвора до 200 А. Напряжение коллектор-эмиттер 1,9 В при токе 120 А.
Цена указана за единицу товара. При покупке значительных количеств (для каждого чипа индивидуально), можете указать в комментариях к заказу "Предложите скидку". Менеджер свяжется с Вами по телефону для согласования цены.
Примечание: мы не несем ответственности за работоспособность микросхемы в проектах и схемах, разработанных и собранных самим пользователем или третьими лицами. Работоспособность может гарантироваться только в проектах и схемах, которые разработаны производителями электроники. Покупатель должен сам оценить свою компетентность при создании проекта. При сомнениях в качестве исполнения микросхемы производителем, рекомендуем сначала покупать пробную партию в единичных количествах. При этом мы можем зарезервировать для Вас требуемые количества на срок до 7 дней, чтобы они были именно из этой партии.

Характеристики:

модель: 30F131;
производитель: Toshiba;
корпус: TO-263-2;
напряжение пробоя: 360 В;
максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В;
максимальный ток коллектор-эмиттер: 200 А;
напряжение насыщения при номинальном токе: 1,9 В;
мощность: 140 Вт;
рабочая температура: -50 – 150°C.

Даташит.

Задайте вопрос о данном товаре
Написать отзыв
Пожалуйста авторизируйтесь или создайте учетную запись перед тем как написать отзыв

Нет отзывов об этом товаре.

!!! Возможны незначительные отличия товара от представленного на сайте, но это не влияет на его эксплуатационные показатели и функциональность.