Чип RJP63K2 TO-263, Транзистор IGBT 630В 35А

RJP63K2 это высокоскоростной биполярный транзистор структуры n-p-n.
Цена указана за единицу товара. При покупке значительных количеств (для каждого чипа индивидуально), можете указать в комментариях к заказу "Предложите скидку". Менеджер свяжется с Вами по телефону для согласования цены.
Примечание: мы не несем ответственности за работоспособность микросхемы в проектах и схемах, разработанных и собранных самим пользователем или третьими лицами. Работоспособность может гарантироваться только в проектах и схемах, которые разработаны производителями электроники.
Покупатель должен сам оценить свою компетентность при создании проекта.
При сомнениях в качестве исполнения микросхемы производителем, рекомендуем сначала покупать пробную партию в единичных количествах. При этом мы можем зарезервировать для Вас требуемые количества на срок до 7 дней, чтобы они были именно из этой партии.

Характеристики:

модель: RJP63K2;
тип корпуса: TO263;
структура: n-p-n;
напряжение коллектор-эмиттер: 630В;
напряжение база- эмиттер: ±30В;
ток коллектора: 35А;
рассеивание коллектора: 25Вт;
рабочая температура: -55 – +150°C.